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本文通过第一性原理计算研究了Dy掺杂α-SiAlON透明机理。Dy掺杂的透明α-SiAlON陶瓷，是利用热压烧结法制备的，样品在1.5-5.0μm光谱范围内获得高于70％的透过率。其中计算结果显示：由于掺杂的Dy原子的价电子与α-SiAlON价带顶附近的掺杂能级相互作用，导致α-SiAlON光学带隙从0.4 eV增加到1.1 eV，由此抑止波长大于1.0μm的光子的吸收。计算结果与实验结果一致。