【摘 要】
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我们采用多模式的MOCVD生长方法在蓝宝石衬底上成功的制备了高质量的AlN薄膜。在材料外延过程中,采用了渐变模式、正常模式和脉冲模式相结合的生长方法。通过XRD和AFM手段,研究了多模式生长过程中初始TMA流量变化对AlN薄膜的影响。我们发现采用渐变模式的样品与没有采用渐变模式的样品相比,晶体质量和表面平整度都有所提高,并且随着TMA渐变率的增大。样品的位错密度不断减小,样品的表面形貌进一步改善。
【机 构】
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专用集成电路国家级重点实验室,石家庄 050051 哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,哈尔滨 150001
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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我们采用多模式的MOCVD生长方法在蓝宝石衬底上成功的制备了高质量的AlN薄膜。在材料外延过程中,采用了渐变模式、正常模式和脉冲模式相结合的生长方法。通过XRD和AFM手段,研究了多模式生长过程中初始TMA流量变化对AlN薄膜的影响。我们发现采用渐变模式的样品与没有采用渐变模式的样品相比,晶体质量和表面平整度都有所提高,并且随着TMA渐变率的增大。样品的位错密度不断减小,样品的表面形貌进一步改善。最后对多模式AlN薄膜的生长机制进行初步分析发现,采用多模式的生长方法可以有效地提高AlN薄膜的晶体质量。
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