轨道分子屏真空特性的理论分析

来源 :2006中国科协年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yuanCL19861125
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轨道分子屏是一种能够达到极高真空条件的材料试验平台,它是利用分子屏轨道飞行速度远大于轨道环境大气的平均热运动速度,在屏后区域形成气体分子的稀化区,达到极高真空.Kostoff早在1965年就提出了这一概念,并命名为Wake Shield Facility(WSF),1989年Naumann对轨道分子屏进行了更为具体的分析.美国宇航局(NASA)曾组织多次实验研究,以证实利用轨道分子屏获得极高真空的可行性.用轨道分子屏获得的真空环境,可以进行真空度要求达到10-9Pa的科学试验,这类试验包括用分子束外延法在空间生长半导体薄膜、超导薄膜等.利用轨道分子屏进行材料加工和分子束外延生长,主要优点是:能够获得清洁的极高真空条件,另外分子屏的开口结构,使它与地面封闭的真空容器相比,更有利于排除气体,大大降低了器壁出气对材料加工实验的影响.本文论述了稳态非均匀分子流理论基础、轨道分子屏极高真空理论分析以及平板型轨道分子屏尾区气体压力及分子数密度的计算。
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