【摘 要】
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本文介绍了Cr:MgSiO可调谐晶体最新的发展现状,给出了提拉法生长Cr:MgSiO晶体的生长工艺,指出氧化生长气氛可以有效地提高Cr:MgSiO晶体的FOM值,在LD和DCFL泵浦方式下,分别实
【出 处】
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第六届全国激光科学技术青年学术交流会
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本文介绍了Cr:Mg<,2>SiO<,4>可调谐晶体最新的发展现状,给出了提拉法生长Cr:Mg<,2>SiO<,4>晶体的生长工艺,指出氧化生长气氛可以有效地提高Cr:Mg<,2>SiO<,4>晶体的FOM值,在LD和DCFL泵浦方式下,分别实现了功率5mW和全固化自启动1.3μm波长自锁模激光输出,脉冲宽度为80fs,平均输出功率为68mW.
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