【摘 要】
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采用硅-氧化硅复合靶的射频磁控共溅射方法在p型硅衬底上淀积了富硅氧化薄膜.刚制备未经退火的薄膜中硅和氧化硅均为非晶相.光致发光PL谱中两个主峰的峰位位于710和800nm.γ
【出 处】
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第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会
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采用硅-氧化硅复合靶的射频磁控共溅射方法在p型硅衬底上淀积了富硅氧化薄膜.刚制备未经退火的薄膜中硅和氧化硅均为非晶相.光致发光PL谱中两个主峰的峰位位于710和800nm.γ射线辐照后,该两峰的强度分别增加3～5倍,面发光峰位不移动.并且,在所有样品的PL谱中都出现了一个新的位于580nm的发光峰.当对PL谱中位于710、800nm和新出现的580nm的发光峰作变温PL测量时,发现这三个发光峰的峰位均不随测量温度的升高而发生移动.本文的实验现象显示出:富硅氧化硅膜的PL来源于氧化硅中的发光中心,而不是纳米硅粒.
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