【摘 要】
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本文简要回顾了功率集成电路制造中常用三种降低互连线引入到体硅表面大电场的互连方式:使用结隔离(Junction Isolation)的互连方式,使用自隔离(Self-Isolation)的互连方式,
【机 构】
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电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室 四川成都610054
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2012年度学术年会
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本文简要回顾了功率集成电路制造中常用三种降低互连线引入到体硅表面大电场的互连方式:使用结隔离(Junction Isolation)的互连方式,使用自隔离(Self-Isolation)的互连方式,使用介质隔离(Dielectric Isolation)的互连方式.简要介绍了它们的基本原理和结构和为了克服基本结构中存在的问题的改进结构.结隔离(JI)/互连中,介绍了四种降低互联线引入电场的方法:电阻场板技术(Resistive Field Plate),多浮空场板技术(Multiple Floating Field Plate),引入Si02分压,结终端扩展技术(Junction Termination Extension).以及它们结构参数变化对击穿电压的影响.自隔离/互连中,介绍了基本自隔离结构,为了克服漏电流而引入的分区自隔离/互连,最后介绍了一种新型的结构.最后介绍了介质隔离/互连.
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