【摘 要】
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以Si粉、炭粉、短炭纤维和粘接剂为原料,采用模压成型制备坯体,炭化处理后进行1600℃热处理,发生炭硅原位反应,再经后续处理可制备密度达1.82g/cm的C/C-SiC复合材料.分别用扫
【机 构】
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中南大学粉末冶金国家重点实验室(长沙)
【出 处】
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第七届全国摩擦、耐磨、减摩材料与技术学术会议
论文部分内容阅读
以Si粉、炭粉、短炭纤维和粘接剂为原料,采用模压成型制备坯体,炭化处理后进行1600℃热处理,发生炭硅原位反应,再经后续处理可制备密度达1.82g/cm<3>的C/C-SiC复合材料.分别用扫描电镜、能谱分析仪和X射线衍射仪对材料进行微观形貌观察、元素分析和物相分析,探讨了炭硅原位反应机理,认为原位反应法是制备C/C-SiC复合材料的有效途径.
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