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采用SEM(扫描电镜)法、SIMS(二次离子质谱)法、ICP(电感偶合等离子)直读光谱仪法对掺锗CZSi中的锗浓度进行了测定,结果发现对于杂质锗浓度大于1.0wt％的单晶样品,采用SEM能谱分析法为宜,锗浓度小于1.0wt％的单晶样品,采用SIMS或ICP直读光谱仪法较好.
掺锗CZSi单晶中锗浓度测试方法的比较
【摘 要】
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采用SEM(扫描电镜)法、SIMS(二次离子质谱)法、ICP(电感偶合等离子)直读光谱仪法对掺锗CZSi中的锗浓度进行了测定,结果发现对于杂质锗浓度大于1.0wt％的单晶样品,采用SEM能谱分
【机 构】
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河北工业大学材料学院信息功能材料研究所(天津)
【出 处】
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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
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2003年期
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