论文部分内容阅读
采用磁控溅射的方法在Si(100)衬底上生长出高Sn 组分(＜0.2)非晶GeSn薄膜，在快速热退火处理后结晶为多晶GeSn 薄膜.GeSn 合金中的Sn 组分越高，结晶温度相应会下降，并且较低温度的热退火处理可以减少Sn 偏析，有利于结晶质量的提高.
磁控溅射生长高Sn组分GeSn合金薄膜
【摘 要】
：
采用磁控溅射的方法在Si(100)衬底上生长出高Sn 组分(＜0.2)非晶GeSn薄膜，在快速热退火处理后结晶为多晶GeSn 薄膜.GeSn 合金中的Sn 组分越高，结晶温度相应会下降，并且较低温度的热退火处理可以减少Sn 偏析，有利于结晶质量的提高.
【机 构】
：
厦门大学物理系,半导体光子学研究中心,厦门 361005
【出 处】
：
第十一届全国硅基光电子材料及器件研讨会
【发表日期】
：
2016年4期
其他文献
由于Si 和Ge 有着高达4.2％的晶格失配度,在Si 衬底上外延低位错密度的Ge 仍然是一个很大的挑战.为了在Si 衬底上异质外延出高质量的Ge 层,文献报道了许多方法和技术[1-3],其中低温Ge 缓冲层技术由于工艺简单,过渡层薄,材料表面平整,成为目前Si 基Ge 材料生长的主要方法.然而基于低温Ge 缓冲层外延的Si 基Ge 材料的位错密度仍然偏高,传统的循环退火过程虽然可以减小位错,但会
会议
满足通信波长要求的高效的硅基光源是目前硅基光电中亟待解决的首要难题,硅基铒发光波长位于～1.5μm,恰好满足这一需求.硅基掺铒体系由于掺铒浓度较高时有浓度猝灭等问题存在制约了发光强度的提高,所以近年来研究人员转向研究硅基铒化合物如硅酸铒的发光[1-6].但是目前研究的硅酸铒光致发光大多通过共振激发才能激发,电致发光也大多通过碰撞离化方式,这种方式很难得到高效地硅基光源.多孔硅巨大的表面积可以填充很
会议
We demonstrate the fabrication of efficient hybrid solar cells based on Si nanowires(Si NWs)and poly(3,4-ethylene-dioxythiophene):polystyrenesulfonate(PEDOT:PSS).The surface of Si NWs can be passivate
会议
利用射频溅射法在高温热氧化的N 型硅衬底上沉积Y 和Er 共掺的TiO2(TiO2：Y,Er)薄膜,并制备了ITO/TiO2：(Y,Er)/SiO2/Si 结构的发光器件。与TiO2：Er 薄膜发光器件相比,共掺Y 的器件在可见光区与红外光区的由碰撞离化机制主导的与Er3+相关的电致发光均得到显著增强。研究发现,通过Y 的共掺,可以促使TiO2 基体由单一的锐钛矿相转变为以金红石相为主,并且TiO
会议
基于变温、变探测时间的PL 谱,我们深入剖析了亚ns 到ns 时间范围内a-SiNx：O 薄膜N-Si-O 发光缺陷态时间演化的瞬态PL 动力学过程,证实了缺陷态发光机制.我们进而揭示了室温下a-SiNx：O 薄膜的辐射复合速率kr= 1.28×108 s-1,如此快的kr 可与直接带隙CdSe 纳米晶中的结果相比拟,说明了a-SiNx：O 薄膜高荧光效率的物理原理.
在硅基光互联的研究中,量子点发光一直是人们研究的热点,Purcell 效应则常被用来增强量子点的发光效率。而在原子物理中,光学相干和量子干涉是控制自发辐射的基本要素。随着相干控制光学[1]和超材料结构[2]技术的发展,用相干光控制量子点对光的吸收和发射[3]成为人们研究量子点发光的一个选项。通常相干控制技术的实现取决于超材料结构的设计[4]。我们设计了可调谐的一个相干完美吸收结构,它可以利用将量子
会议
近年来,随着光通信技术的发展,一种能够集成在同一个芯片上的包含光源、波导、调制器、探测器等的光互联系统的需求被提出.目前,要实现近红外,如光通信波长范围内的硅基光源发光效率的提高,采用基于Purcell 效应的局域表面等离子体共振增强技术是一条值得理论和实验探索的技术方案.基于近红外低损耗表面等离子体材料ITO,我们提出了一种Bowtie - Cylinder 的新结构.建立在有限元方法FDTD
会议