【摘 要】
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本文提出了一种阶梯厚度漂移区SOI LDMOS新结构,此结构将漂移区分成厚度由源到漏依次增加不同的区域,利用阶梯型漂移区对电场的调制作用改善电场分布,从而提高器件击穿电压.
【机 构】
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电子科技大学IC设计中心,成都,610054
【出 处】
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四川省电子学会半导体与集成技术专委会2006年度学术年会
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本文提出了一种阶梯厚度漂移区SOI LDMOS新结构,此结构将漂移区分成厚度由源到漏依次增加不同的区域,利用阶梯型漂移区对电场的调制作用改善电场分布,从而提高器件击穿电压.仿真结果表明在埋氧层厚度1μm,漂移区厚度0.5μm时,该结构较常规SOI结构击穿电压提高了76%,比导通电阻降低了30%。
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