Diffusion of Metal and Oxygen Ions in Oxygen Deficient Material Based Resistance Switches

来源 :第十三届全国量子化学会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xiaoxunjun

【摘要】

：

　　Oxygen-deficient metal oxide based resistance switches are under intensive investigations due to their potential application in memory cell.[1] All the swit

【作者】

：

Bo Xiao Satoshi Watanabe

【机构】

：

School of Chemistry and Chemical Engineering,Yantai University

【出处】

：

第十三届全国量子化学会议

【发表日期】

：

2017年期

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　　Oxygen-deficient metal oxide based resistance switches are under intensive investigations due to their potential application in memory cell.[1] All the switching mechanisms proposed so far are based on the diffusion of O ions or vacancies.

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