【摘 要】
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宽能隙Ⅲ-V 簇半导体研发的迅猛发展，已导致了光电子器件的广泛应用，尤其是发光二级管(LED)及激光二级管(LD).InGaN/GaN 量子阱(QW)是作为蓝绿光LED 及LD 的核心结构，然而要生长高质量的InGaN/GaN 量子阱(QW)仍是巨大的挑战，其严重的问题之一在于InGaN 与GaN 之间的大的晶格失配，这会在C 面LED 及LD 中的InGaN量子阱内引发强的压电电场，产生量子限制
【机 构】
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广西大学物理科学与工程技术学院,北京大学物理学院
【出 处】
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2016年全国光机电技术及系统学术会议暨中国光学学会光电技术专委会/中国仪器仪表学会光机电分会会员代表大会
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宽能隙Ⅲ-V 簇半导体研发的迅猛发展，已导致了光电子器件的广泛应用，尤其是发光二级管(LED)及激光二级管(LD).InGaN/GaN 量子阱(QW)是作为蓝绿光LED 及LD 的核心结构，然而要生长高质量的InGaN/GaN 量子阱(QW)仍是巨大的挑战，其严重的问题之一在于InGaN 与GaN 之间的大的晶格失配，这会在C 面LED 及LD 中的InGaN量子阱内引发强的压电电场，产生量子限制的斯塔克效应，极大地减弱电子-空穴波函数的垒叠，导致发光效率减弱.
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