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GaN 为代表的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料作为一种光催化材料。与传统金属氧化物[1]催化相比，他具有能隙较宽度连续可调、禁带宽度覆盖光谱中整个可见光及紫外光范围[2]、催化效率高、物理化学性质稳定[3]等优势，因而引起了广泛的关注。
水在纤锌矿GaxIn1-xN(100)表面的吸附及分解
【摘 要】
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GaN 为代表的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料作为一种光催化材料。与传统金属氧化物[1]催化相比，他具有能隙较宽度连续可调、禁带宽度覆盖光谱中整个可见光及紫外光范围[2]、催化效率高、物理化学性质稳定[3]等优势，因而引起了广泛的关注。
【机 构】
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中国人民大学物理系 北京 100872
【出 处】
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中国物理学会2013年秋季学术会议
【发表日期】
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2013年11期
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会议
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