GD01-011射频功率对类金刚石薄膜性能的影响

• 作 者: 陈林林 张殷华 黄伟
• 机 构: 中国科学院光电技术研究所, 四川成都 610209
• 出 处: 第10届全国光电技术学术交流会
• 发表日期: 2012年期
• 关键词: 射频功率 类金刚石薄膜 薄膜性能 化学气相沉积技术 射频等离子体 红外透射光谱 椭圆偏振仪 Raman光谱

　　利用射频等离子体化学气相沉积技术在硅基底上沉积类金刚石薄膜，利用红外透射光谱、椭圆偏振仪、Raman光谱等测试手段，研究在不同的射频功率条件下制备的类金刚石薄膜性质的变化.实验表明：随着功率的增加，薄膜中的SP3含量逐渐减少，薄膜的折射率在660-860W逐渐降低，在860-910W范围内逐渐增加，在910-960W范围内逐渐减小.薄膜的硬度随着功率的增加先增加后减小.最佳沉积功率为860W.