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本文对磁控溅射法制备的外延Sn1-xMgxO2薄膜的光学性质和室温铁磁性进行了研究。分析结果表明薄膜样品的可见光透射率均高于80％，随着Mg的掺入样品的磁性和光学带隙显现出明显的变化，替代位的Mg以及间隙位的Mg是两个主要的影响因素。对Sn0.84Mg0.16O2样品进行不同温度的空气退火处理，发现退火温度高于750℃会导致样品的磁性逐渐减弱，结构分析表明随着退火温度升高，薄膜结构将由SnO2(100)转化为Mg2SnO4(111)的氧化物合金结构。