【摘 要】
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本论文用射频等离子体增强化学气相沉积法，成功的制备出了二维碳纳米结构——碳纳米墙。 以CH4为碳源，H2为辅助气体，通过生长气源组份、等离子体功率、反应气压以及生长时间
【机 构】
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西安交通大学电信学院 陕西西安 710049
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本论文用射频等离子体增强化学气相沉积法，成功的制备出了二维碳纳米结构——碳纳米墙。
以CH4为碳源，H2为辅助气体，通过生长气源组份、等离子体功率、反应气压以及生长时间等多个工艺参数的大量实验，总结出生长碳纳米墙的工艺条件。对制备出的样品进行了SEM分析，生长的碳纳米墙厚度小于10纳米，具有直立于衬底的特征。TEM分析结果表明所生长的碳纳米墙具有大量褶皱，且通过褶皱可以看见明显的石墨层状结构。拉曼光谱分析显示在1350cm-1和1610cm-1处有典型的碳特征的D和G峰，说明碳纳米墙主要为石墨。
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