GaN MSM型紫外探测器

• 作 者: 姜文海 陈辰 李忠辉 周建军 董逊
• 机 构: 南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家重点实验室,南京,210016
• 出 处: 2007年全国微波毫米波会议
• 发表日期: 2007年期
• 关键词: 肖特基结 紫外光电探测器 设计优化 金属型 工作方式 材料制备 抑制比 响应度 宽带隙 半导体 特性 设备 器件 峰值 掺杂 测试

采用以MOCVD设备生长的宽带隙非故意掺杂的n-GaN材料制备了金属-半导体-金属型的紫外光电探测器.在1.5V偏压下具有陡峭的截止边,表现出可见盲特性,其响应度为0.71A/W,峰值在362nm处,紫外/可见抑制比接近103.通过击穿单侧肖特基结对另一侧的肖特基结进行了测试,并以此对器件的工作方式和设计优化进行了分析。