【摘 要】
：
非晶铟镓锌氧(Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide,α-IGZO)薄膜具有迁移率高、均匀性好等特点,并且在可见光波长范围有较高的光透射率,可以实现制备全透明以及柔性显示器
【机 构】
：
复旦大学微电子学院,专用集成电路与系统国家重点实验室,上海智能电子与系统研究院,上海200433,中国
【出 处】
：
第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会
论文部分内容阅读
非晶铟镓锌氧(Amorphous Indium Gallium Zinc Oxide,α-IGZO)薄膜具有迁移率高、均匀性好等特点,并且在可见光波长范围有较高的光透射率,可以实现制备全透明以及柔性显示器件,是新一代氧化物半导体薄膜晶体管中应用最广泛,也是最具潜力的有源层材料.本论文采用直流磁控溅射方法制备了叠层非晶IGZO薄膜(氮掺杂IGZO/非晶IGZO/氮掺杂IGZO),将其作为沟道层制备了IGZO薄膜晶体管(TFT),并对器件电学特性和稳定性进行了研究,取得了如下研究成果:1)N掺杂的顶部IGZO薄膜可以有效的阻挡水分子的吸附,并且N掺杂底部IGZO薄膜可以明显降低介质层与沟道层界面陷阱密度;2)直流磁控溅射方法原位掺杂N元素制备叠层IGZO薄膜有着良好的电学性能,通过对N掺杂薄膜厚度的合理搭配,得到的叠层沟道结构TFT具有很好的电学特性,即沟道载流子迁移率达到27.9cm2/Vs,亚阈值摆幅为0.21V/decade,是非掺杂IGZO薄膜TFT器件的1/3,电流开关比达到3.1xl07;3)研究了不同沟道结构IGZO TFT器件在正向栅压应力(PGS,Positive Gate bias Stress)下阈值电压偏移的物理过程.对于界面陷阱或绝缘层内陷阱较多的α-IGZO TFT器件,在PGS下阈值电压正向偏移主要是由于栅绝缘层内陷阱或界面陷阱对沟道电子的捕获,被捕获的电子积累在栅绝缘层内屏蔽了部分栅压,为了使得TFT器件到达正常的开启电流,需要更大的栅压来产生更多的沟道电子.在这种俘获机制中,测试的器件转移特性曲线随着应力时间的增大向正方向平移.随着应力时间的累积,其捕获电子的总数不断增加,阈值电压正向偏移的幅度也越来越大.
其他文献
目的：探讨新西兰大白兔股静脉结扎致栓塞模型的红外热成像表达特性.
方法：体外经典结扎法构建新西兰大白兔后肢股静脉栓塞模型,以对侧为假手术对照侧,利用红外热成像技术分
通过将二氧化钛(TiO2)和碳纳米管(CNTs)的复合物TiO2/CNTs涂覆在三维泡沫镍(Ni-F)基底上,得到了性能十分优异的的场发射阴极.它具有较低的开启电压E.n(0.40V//μm)和阐值电压
近年来,3D打印技术已被认为是印制电路和微电子领域的新型制造技术,具有广阔的发展前景.因此,开展与印制电子相关的工艺、设备、材料、器材等研究具有重大意义.本论文主要针
基于有机金属卤化物钙钛矿材料的太阳能电池已经成为了低成本高效率太阳能电池中的希望之星.通过真空输运法制备了表面平整、均匀,结晶良好的钙钛矿薄膜.利用制备的钙钛矿薄
本文研究了选择性激光熔融(SLM)制备TC4试样的显微组织特征及真空热处理后的组织演变规律.结果表明:增材制造的钛合金在不同成形方向上的显微组织特征各不相同,沉积态的宏观
本文通过在硅衬底上制备得到具有不同沟道长度的有机聚合物(DPPTTT)薄膜场效应晶体管器件,研究了沟道长度对有机场效应晶体管器件中的载流子浓度和阈值电压的影响.实验发现,
本文采用不同喷丸强度对铸态镍铝青铜(NAB)进行表面强化处理,之后进行了粗糙度、残余压应力和表层显微硬度等测试,并采用极化曲线、EIS曲线(交流阻抗曲线)来表征喷丸后NAB的
有机-无机金属铅卤化物钙钛矿太阳能电池(PSCs)因其制备工艺简单,光电转化效率高,原材料廉价等优点备受关注.本研究发展了一种新型的准介观型(QM-PSCs)的钙钛矿太阳能电池,在
DR技术可用于冷库压力管道的检测,但冷库压力管道的绝热层、管内介质等都会对检测结果造成影响.现结合近20几个冷库工程焊接质量DR抽查工作,对冷库压力管道DR检测的灵敏度、
Three point bending test of 2A50 forging aluminum was performed,and fatigue specimens of different crack growth stages were obtained,surface crack growth be