InP基In0.83Ga0.17As探测器结构中吸收层和缓冲层的生长温度优化

来源 :第十二届全国分子束外延学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：summercoming1

【作者】

：

张见陈星佑顾溢马英杰奚苏萍杜奔张永刚

【机构】

：

中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室,上海 200050

【出处】

：

第十二届全国分子束外延学术会议

【发表日期】

：

2017年期

【关键词】

：

InP 探测器结构吸收层缓冲层生长

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