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该文主要介绍了一种GaAs PHEMT MMICS功率放大器的设计方法和制备工艺以及性能。通过器件DC和AC测量，建立了PHEMT功率器件精确的大信号模型，对电路进行CAD设计优化，设计制备的单级功率放大顺在35GHz频率下达互输出功率200mW，功率附加效率30℅，功率增益4dB，芯片尺寸2mm×1.2mm。