【摘 要】
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采用热蒸发、光刻及刻蚀的方法制备光学微盘共振器阵列。 该微盘共振器由嵌埋尺寸可控且均匀分布的硅纳米晶的SiO2薄膜组成,硅纳米晶尺寸约为3 nm。光致发光谱测试得到峰
【机 构】
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德国马普微结构物理研究所,Weinberg 2,06120 Halle,德国 复旦大学信息学院光科学与工程系,上海 200433,中国
【出 处】
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第三届上海纳米科技与产业发展研讨会
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采用热蒸发、光刻及刻蚀的方法制备光学微盘共振器阵列。
该微盘共振器由嵌埋尺寸可控且均匀分布的硅纳米晶的SiO2薄膜组成,硅纳米晶尺寸约为3 nm。光致发光谱测试得到峰位在800nm的典型3 nm硅纳米晶的光致发光谱,并在该发光谱上观察到微盘共振器的微腔回廊耳语模式(WGMs)光发射,而且只观察到一阶轴向和径向光发射模式。对于直径分别为8.8μm和23.7μm的微盘,其相邻两个WGMS光发射模式的间隔分别为15 nm和6 nm。本结果对硅基纳米光子学主动发光器件的研究具有非常重要的意义。
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