化合物半导体多晶薄膜晶界表征技术

• 作 者: 田金秀 曾广根 王文武 张静全 武莉莉 李卫 黎兵 冯良桓
• 机 构: 四川大学材料科学与工程学院,四川610064
• 出 处: 第13届中国光伏大会
• 发表日期: 2013年期
• 关键词: 化合物半导体 多晶薄膜 晶界势垒 少子寿命 表征技术 电子能量损失谱 荧光显微成像 纳米尺度表征

CdTe、CIGS等化合物多晶薄膜中,晶界存在大量非饱和悬挂键,将可能在禁带中引入深能级,形成光生载流子陷阱或复合中心,而使材料的少子寿命降低.通过适当后处理工艺,可钝化晶界势垒,提高少子寿命,而改善器件效率.本文首先分析了电致发光(EL)、光致发光(PL)等表征技术,之后重点讨论了原子探针形貌(APT)、电子全息术(electron holography)、电子能量损失谱(EELS)、时间分辨荧光显微成像(TRPL Microscopy)等纳米尺度表征技术应用.