【摘 要】
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SiC薄膜具有宽禁带、耐高压、耐高温、耐腐蚀、高机械强度等优点，不仅适合应用在高频大功率高温电子器件的制备，也可以用SiC代替Si制备MEMS器件将具有广泛的应用前景，它可使MEMS
【机 构】
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北京大学微电子研究院，微米/纳米加工国家重点实验室，北京100871中国科学院物理所光物理开放实验室，北京100080
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SiC薄膜具有宽禁带、耐高压、耐高温、耐腐蚀、高机械强度等优点，不仅适合应用在高频大功率高温电子器件的制备，也可以用SiC代替Si制备MEMS器件将具有广泛的应用前景，它可使MEMS器件应用于高温高压等恶劣的环境条件下。本文实验研究了不同激光退火条件对PECVDSiC薄膜的微结构组份，电学和机械特性的影响，实验中使用AES﹑RBS﹑HFS﹑TEM和XRD技术进行测量分析。
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