一种用于高压SOI器件材料的工艺制备技术

• 作 者: 冯志成 张正元 陈开锋 罗小蓉
• 机 构: 中国电子科技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060
• 出 处: 第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
• 发表日期: 2007年期
• 关键词: 高压 SOI器件 SOI材料 工艺技术 SiO2 埋氧层 纵向结构 自热效应

　　提出了一种可用于高压SOILDMOS器件的SOI材料的工艺制备技术。通过该工艺技术，获得了第一埋氧层图形化的Si/SiO2/Poly/SiO2/Si5层纵向结构的双埋层夹多晶硅SOI材料。其SiO2/Poly/SiO2结构可以在相对较薄的第二埋氧层中获得相对很高的耐压；同时，减少了SOI器件自热效应对器件性能的影响。