宽禁带半导体氮化铝晶体的制备及应用研究

来源 :2019第二届光电材料与器件战略论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户：talygs

【摘要】

：

宽禁带半导体材料-氮化铝(AlN)晶体具有超宽的禁带宽度(6.2eV)、极高的击穿场强、极高的热导率、良好的光学和力学等性质,同时,AlN 与AlGaN 属同族材料,两者的晶格失配最大值仅为2.4％,且热膨胀系数几乎相同,故以AlN 单晶作为衬底可以极大地改善AlGaN 器件的性能.

【作者】

：

武红磊

【机构】

：

深圳大学

【出处】

：

2019第二届光电材料与器件战略论坛

【发表日期】

：

2019年3期

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

其他文献

基于柔性纳米线和功能纳米颗粒的微纳光电器件研制

本报告将介绍第一作者身份在Nanoscale、ACS Photonics、ACS Appl.Mater.Interfaces、ACS Macro Lett.等期刊上发表的中科院JCR 一区论文5 篇，其中纳米线光探测器为封面论文(Nanoscale 2016)；微纳光源(ACS Macro Lett.2014)被澳大利亚科学院院士Tanya Monro 教授撰写在Laser Photonics R

会议

硅基有机发光二极管器件及其在近眼终端系统中应用

主要阐述硅基OLED 微型显示器发展现状、OLED 微型显示器光电性能影响因素及其器件在近眼终端系统中应用等。

会议

二维全无机钙钛矿边界的非本征发光机理探索

Two-dimensional highly luminescent CsPb2Br5 has been reported for optoelectronic applications in recent years.However,the band gap and the origin of green photoluminescence(PL)are still in intense deb

会议

InAsSb薄膜及Ⅱ类超晶格材料分子束外延与光电器件研究

我们系统介绍了应用于中长波段探测器的材料，包括InAs/InAsSb 超晶格与InAsSb 薄膜材料的材料特性，与其他探测材料的优缺点对比，并介绍了这两种材料的国内外发展现状，总结了这两种材料发展遇到的问题和未来发展的方向。

会议

Nd3+/Yb3+共掺玻璃光纤的激光特性研究

研究了1μm 波段Nd3+/Yb3+共掺杂玻璃及光纤的光谱性质及能量传递过程，测试分析了两种激活离子间在不同温度下的能量传递效率随温度的变化过程。观察到Yb3+向Nd3+的能量传递效应，基于这一效应，实现了基于双激活离子的双波长泵浦激光下的激光输出现象。

会议

无镉量子点材料及在显示上的应用

本报告详细介绍无镉量子点材料及其在显示技术上的应用。

会议

基于新材料的超短脉冲光纤激光产生研究

被动锁模超快光纤激光器不仅拥有极窄的脉冲宽度、极高的峰值功率和较宽的光谱，而且具有成本低廉、结构紧凑、免维护及转换效率高等优势，使得其在超快诊断、飞秒加工、生物医学及激光雷达等领域有非常广泛的应用前景。

会议

非晶态高分子长余辉发光材料及防伪应用

有机长余辉发光(OLPL)材料在生物成像、光学记录、信息存储、防伪系统等诸多高新科技领域有着诱人的应用前景，但在室温下实现高效OLPL 是一个极大的挑战，尤其是无定型聚合物基长余辉发光(PLPL)材料。

会议

基于太赫兹光子学器件的通信与成像研究

太赫兹(THz)波(频率范围：0.1-10 THz； 1 THz=1012 Hz)位于微波与红外光之间,处于毫米波电子学与红外光子学的交叉过渡区域.太赫兹技术在光谱检测、医学成像、空间通信等领域具有重要应用前景.长期以来,由于缺乏高效THz 辐射源和探测器,THz 频段未得到充分研究,很多新奇的物理性质没有被完全认知,所以其被称为THz 间隙(“terahertz gap”).

会议

杂化钙钛矿太阳能电池的辐射效应研究

在空间环境中的的半导体器件必须经受的起极端条件的考验，如高通量的质子、电子和γ射线会使器件受到不同程度的损伤而失效。常用的宇航器件上的晶硅、GaAs和InGaP/GaAs 基太阳能电池很容易受到辐照损伤，而影响其正常工作。

会议

宽禁带半导体氮化铝晶体的制备及应用研究

其他学术论文