硅衬底上多层锗量子点中磷掺杂对其光荧光的增强

• 作 者: Qiming Wang Zhi Liu Yaming Li Chunlai Xue Buwen Cheng 成步文 王启明 刘智 李亚明 薛春来
• 机 构: State Key Laboratory on Integrated Optoelectronics, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of
• 出 处: 第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
• 发表日期: 2012年期
• 关键词: 硅衬底 多层锗量子点 磷掺杂 光荧光 样品 化学气相沉积设备 硼掺杂 增强

　　利用超高真空化学气相沉积设备,在Si(001)衬底上外延生长了4层Ge/Si量子点样品。通过原位掺杂的方法,对不同样品中的Ge/Si量子点分别进行了非掺杂、磷掺杂和硼掺杂。研究了掺杂对Ge/Si量子点表面形貌以及室温光荧光的作用。相比非掺杂的样品,Ge/Si量子点磷掺杂对其形貌影响很小,但其室温光荧光得到了有效的增强。而硼掺杂的样品Ge/Si量子点的密度有所减少且光荧光减弱。磷掺杂增强Ge/Si量子点光荧光的原因不是由量子点密度变化引起的,而是磷掺杂为6e/Si量子点提供了更多参与辐射复合的电子。