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介绍了一种新型LDO频率补偿结构，该结构包括襁点分离技术，误差放大器、基准混合设计技术，宽带驱动器技术。输出仅接一个小的瓷介电容(典型值为0.47μF)，即可实现稳定工作，提高了系统的长期工作稳定性并平降低了系统成本。
一种新型LDO频率补偿结构
【摘 要】
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介绍了一种新型LDO频率补偿结构，该结构包括襁点分离技术，误差放大器、基准混合设计技术，宽带驱动器技术。输出仅接一个小的瓷介电容(典型值为0.47μF)，即可实现稳定工作，提高
【机 构】
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中国电子利技集团公司 第二十四研究所,重庆 400060
【出 处】
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第十五届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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2007年期
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