【摘 要】
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忆阻器可以调节历史通过电量改变它的电阻状态,理想的忆阻器可以实现无数阻态的连续调控,使其在超高密度存储器和模拟人脑器件领域有着广泛的应用[1]。近些年无机忆阻领
【出 处】
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第17届全国晶体生长与材料学术会议
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忆阻器可以调节历史通过电量改变它的电阻状态,理想的忆阻器可以实现无数阻态的连续调控,使其在超高密度存储器和模拟人脑器件领域有着广泛的应用[1]。近些年无机忆阻领域得到了广泛而深入的发展,报道了很多高性能的忆阻器件。目前比较经典的体系有三种：二元及多元金属氧化物体系[2],相变材料体系[3]及铁电隧道结体系[4]。相比有机忆阻领域的发展就相对滞后,虽然有机电阻开关报道由来已久,并几乎涵盖了有机材料的各个体系(小分子,聚合物,碳材料,分子材料等)[5,6],但电阻连续变化可调的有机忆阻器件报道还很少,相关的机理解释还不是很透彻,性能也有待进一步提高。基于此,我们制备了新颖的金属有机框架CuTCNQ纳米晶忆阻器,通过垂直方向生长的纳米晶指导导电丝的形成方向,以及在CuTCNQ和Al顶电极界面形成的天然AlOX层确定导电丝的形成位置,我们制备的忆组器件具有高度的电阻可调能力,并探究了其在神经突触及柔性器件领域的应用。
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