常压烧结SiC密封环的制备工艺与性能研究

• 作 者: 于国强[1]刘维良[1]李友宝[2]李少峰[3]
• 机 构: 景德镇陶瓷学院,江西 景德镇 333001
• 出 处: 第十六届全国高技术陶瓷学术年会暨景德镇高技术陶瓷高层论坛
• 发表日期: 2010年期

研究了采用常压烧结方法制备碳化硅密封件，讨论了碳化硅成型及烧结工艺参数对其性能的影响。通过SEM分析了其显微结构，并测试了其力学性能和体积密度，实验结果表明：以酚醛树脂和淀粉混合物为黏结剂，通过添加2％(质量分数，下同)C和3％B4C，在2150℃、保温O.5h条件下得到了力学性能良好的致密碳化硅密封件，其洛氏硬度92，抗折强度350MPa，弹性模量300GPa，密度达到3.10g/cm3.