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硅通孔(TSV,Through Silicon Via)技术是一项颠覆性的技术,它通过铜、钨、多晶硅等导电物的填充,实现硅通孔的垂直电气互连,突破了平面集成技术的瓶颈,实现了沿Z轴方向的三维集成,成为延续和拓展摩尔定律(More than Moore Law)的重要研究方向和解决方案,为满足器件小型化、高性能的迫切需求提供了可能性。