【摘 要】
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自从巨磁电阻效应（GMR）被发现以来，其所展现出的巨大潜在技术应用价值和深入理论研究价值使其成为薄膜磁学领域最具吸引力的发现之一。本实验室采用双槽法，已成功在AAO模板内制备
【机 构】
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天津大学化工学院杉山表面技术研究室,天津,300072
【出 处】
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2009年第十五次全国电化学学术会议
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自从巨磁电阻效应（GMR）被发现以来，其所展现出的巨大潜在技术应用价值和深入理论研究价值使其成为薄膜磁学领域最具吸引力的发现之一。本实验室采用双槽法，已成功在AAO模板内制备出高度有序的[NiFe/Cu/Co/Cu]n多层纳米线，本文在此基础上对[NiFe/Cu/Co/Cu]n多层纳米线的磁性能和电流垂直于膜面（CPP）的巨磁电阻效应进行了初步研究。
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