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MnCoGe基合金中通过引入化学压力(如间隙原子、空位或者替代等手段)可以调节其马氏体相变温度获得磁结构耦合,伴随一级磁-结构相变室温附近出现大的磁热效应.这一性质使得MnCoGe基合金作为室温磁热材料得到广泛研究.人们发现,通过引入物理压力也可改变原子间距等来调节MnCoGe基合金的一级磁性相变性质进而调控其磁热效应[1].应力的引入可以通过静水压、单轴压力、或者薄膜应力等手段实现.对于薄膜体系,衬底和薄膜的晶格失配度、高温生长状态降到室温时由于薄膜和衬底的热膨胀系数不同均可引入应力.