【摘 要】
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利用磁控溅射方法在Si(100)衬底上首先生长SrMnO(SMO)作为缓冲层,再沉积LaSrMnO(LSMO)薄膜,得到(110)面择优生长的LSMO/SMO双层结构.利用X射线衍射仪分析了SMO缓冲层的结构特
【机 构】
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北京工业大学材料学院薄膜材料与技术研究室(北京)
【出 处】
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第五届中国功能材料及其应用学术会议
论文部分内容阅读
利用磁控溅射方法在Si(100)衬底上首先生长SrMnO<,3>(SMO)作为缓冲层,再沉积La<,0.8>Sr<,0.2>MnO<,3>(LSMO)薄膜,得到(110)面择优生长的LSMO/SMO双层结构.利用X射线衍射仪分析了SMO缓冲层的结构特征对LSMO薄膜择优取向生长的影响;利用Rutherford背散射(RBS)分析了LSMO/SMO间的界面情况.结果表明:以SMO作为单一缓冲层时,不仅可以实现LSMO薄膜在Si(100)衬底上的(110)面的择优生长,而且LSMO/SMO的介面扩散现象也不明显.
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