论文部分内容阅读
对引进氮氢混合气技术的消化与应用
【机 构】
：
电子部777厂
【出 处】
：
’94工业氢气的制取和净化技术交流会
【发表日期】
：
1994年期
其他文献
研究了含N MOS薄栅介质膜的击穿电场和电荷击穿特性。结果表明：MOS栅介质中引入一定的N后，能提高介质的电荷击穿强度，电荷击穿强度受NO退火温度的制约；N对薄栅介质击穿电场强度影
1.适时买进蓝筹股看看摩根一斯坦利国际投资公司的远东指数,你就会发现,它自1969年12月上市以来,已经取得了2100%的资本收益,年均收益近70%。即使在10年来经济处于停滞状态