【摘 要】
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通过调整生长参数,实现砷化镓纳米线轴向和径向生长速率可控。在此基础上,使用分子束外延技术制备了芯壳p-n结构砷化镓纳米线。同时,通过探索GaAs一维纳米结构的光刻、壳
【机 构】
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Key Laboratory of Material Physics, Institute of Solid State Physics, Chinese Academy of Sciences, H
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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通过调整生长参数,实现砷化镓纳米线轴向和径向生长速率可控。在此基础上,使用分子束外延技术制备了芯壳p-n结构砷化镓纳米线。同时,通过探索GaAs一维纳米结构的光刻、壳层刻蚀、欧姆电极制备工艺,获得一维纳米芯壳光伏器件,针对该器件的I-V测试结果表明,该结构在模拟太阳光照射情况下(AM l.5G,1个太阳)t开路电压Voc-0.539、短路电流lsc=10.374mA/cm2、有效填充因子FF=0.6796,效率为38％。
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