双轴式研磨抛光方式下抛光盘相对位置对去除量的影响研究

来源 :第二十届全国激光学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:huijinbao
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  随着现代科学技术的不断发展,对于光学元件的表面质量提出了越来越多的要求。研磨抛光是超精密加工的重要手段,现有文献的研究工作主要集中在磨粒的运动轨迹以及被抛光元件抛光之后表面均匀性的研究,在设计加工过程中还需要了解抛光盘在不同的位置对于被抛光元件面形的影响,以便加工过程中对抛光盘位置的调整以得到需要的面形。本文主要介绍了一种双轴式平面研磨抛光的运动过程分析,从Preston方程出发,推导了该抛光方式下的去除函数表达式,并研究了抛光盘摆幅及偏心距离对去除量分布的具体影响。通过定量计算得知,在加工转速不变的情况下,增大抛光盘的摆幅,被抛光元件不同圆周上去除量的变化不同,增大偏心距被抛光元件不同圆周上的去除量呈增加趋势。
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采用双离子束溅射(DIBS)工艺制备了Ta2O5/SiO2和Nb2O5/SiO2两种800 nm45°宽带p光高反镜。利用中心波长800 nmCPA系统分别输出40 fs和300 ps的p偏振光,对样品表面激光损伤行为进行研究。结果表明,在两种脉宽激光辐照下,Ta2Os/SiO2样品的单脉冲损伤阈值均比Nb2O5/SiO2样品高约20%。在40fs激光作用下,样品表现出本征的场诱导破坏特性;而在3
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