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他们用ＵＨＶ／ＣＶＤ系统生长了锗硅合金。外延层的组分由二次离子质谱和双晶衍射决定。他们发现生长速度随ＧＥ组分的增加而降低，Ｂ〈，２〉Ｈ〈，６〉对锗硅合金的生长有催化作用。二次离子测试表明，锗硅外延层的纵向分布均匀。
UHV/CVD生长锗硅材料特性
【摘 要】
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他们用ＵＨＶ／ＣＶＤ系统生长了锗硅合金。外延层的组分由二次离子质谱和双晶衍射决定。他们发现生长速度随ＧＥ组分的增加而降低，Ｂ〈，２〉Ｈ〈，６〉对锗硅合金的生长有催化作用。二次离子测试表明，锗硅外
【机 构】
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大学硅材料国家重点实验室(杭州)
【出 处】
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第十届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
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1997年期
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