【摘 要】
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人类在其进化过程中，适应了太阳可见光谱混合而成的白光，白光照明显得非常重要.第三代LED白光中，红、绿、蓝三基色LED的混合可以产生白光，但是电路设计和协同控制困难，成本高；
【机 构】
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华中科技大学武汉光电国家实验室-物理学院,纳米表征与器件中心
【出 处】
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TFC`15全国薄膜技术学术研讨会
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人类在其进化过程中，适应了太阳可见光谱混合而成的白光，白光照明显得非常重要.第三代LED白光中，红、绿、蓝三基色LED的混合可以产生白光，但是电路设计和协同控制困难，成本高；在蓝光或紫外LED芯片上，封装荧光粉得到的白光，显色指数高，但过分依赖荧光粉调节，得到的LED效率低.ZnO白光LED是一个解决以上问题的发展方向.ZnO是新一代宽禁带直接带隙n型半导体材料，由于ZnO的p型掺杂会导致晶体的马德隆能升高，加上ZnO自身存在严重的自补偿效应，使得ZnO的p型掺杂难以实现.本研究通过简单的化学气相沉积方法，一步实现了基于高质量的锑(Sb)掺杂p型ZnO纳米线阵列/n型GaN薄膜的白光LED.通过X射线光电子能谱、室温/低温PL分析，发现Sb成功掺杂于ZnO阵列中，形成了稳定的受主能级与深能级，进一步的Ⅳ测试表明p型ZnO阵列成功实现.
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