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本报告主要介绍SiC单晶中几种典型的生长缺陷如:微管、螺位错、基平面位错、基平面弯曲、层错等.利用同步辐射形貌术、原子力显微镜、激光显微镜对这些缺陷进行了观察和表征.根据SiC单晶的结构特点,讨论了这些缺陷的形成机理.在缺陷研究的基础上,介绍了山东大学晶体材料国家重点实验室在SiC单晶材料的研究及器件应用的进展.