材料结构对AlGaN基分布布拉格反射镜特性的影响

• 作 者: 谢自力 韩平 施毅 郑有炓 张荣 刘斌 姬小利 李亮 修向前 江若琏 龚海梅 赵红
• 机 构: 江苏省光电功能材料重点实验室,南京大学物理系,江苏,南京,210093中国科学院上海技术物理研究所,上海,200083
• 出 处: 第二届全国先进焦平面技术研讨会
• 发表日期: 2006年8期
• 关键词: 布拉格反射镜 半导体多层膜 薄膜生长 汽相沉积

本文采用低压MOCVD技术生长了AlGaN/GaN、AlGaN/AlN等多种交替生长结构的半导体多层膜分布布拉格反射镜(DBR)。利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)等测量手段对材料的物理特性进行了分析表征。结果表明,材料结构对DBR的性能影响很大。通过材料的优化生长,获得了反射率高达93.5％、中心波长和发射率都接近理论值的AlGaN/AlN DBR材料。