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真空定向凝固技术是制备冶金法多晶硅的重要工序，不仅能够去除金属杂质，又能显著影响冶金法多晶硅的电学性能。本文采用工业生产用铸锭炉，基于真空定向凝固技术提纯获得了高磷冶金法多晶硅锭，研究了快速热处理温度对高磷冶金法多晶硅锭电学性能的影响规律。对硅锭纵向不同高度的高磷冶金法多晶硅片在800、900、1000 和1100℃下分别进行快速热处理研究，经过120s 的快速热处理后，高磷冶金法多晶硅片的位错数量随着快速热处理的温度升高逐渐减少，位错密度呈现逐渐降低的趋势。