【摘 要】
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利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和Ti.Al/Ti/Au,都是采用电子束蒸发的方法沉积.AlGaN表面的欧姆接触的比接触电阻率为7.48×10-4Ω.Cm-2,器件的电流-电压(I-V)测试表明该AlGaN肖特基二极管具有较好的整流特性.根据器件的正向I-V特性,计算得到器
【机 构】
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中国科学院半导体研究所,北京,100083
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的AlGaN/AlN/GaN/蓝宝石材料制备了AlGaN肖特基二极管.器件的肖特基接触和欧姆接触分别为Ti/Pt和Ti.Al/Ti/Au,都是采用电子束蒸发的方法沉积.AlGaN表面的欧姆接触的比接触电阻率为7.48×10-4Ω.Cm-2,器件的电流-电压(I-V)测试表明该AlGaN肖特基二极管具有较好的整流特性.根据器件的正向I-V特性,计算得到器件的势垒高度和理想因子分别为0.57eV、4.83.将器件在300℃中温退火,发现器件的电学性能有所改善。
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