【摘 要】
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多重激子效应是指纳米尺度的半导体材料吸收一个高能光子而产生多个激子(即电子－空穴对)的过程.多重激子效应具有巨大的基础研究价值和广泛的应用价值,其潜在应用涵盖了从非线
【机 构】
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上海交通大学物理系凝聚态光谱与光电子物理实验室,上海交通大学太阳能研究所,上海,200240
【出 处】
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第12届中国光伏大会暨国际光伏展览会(CPVC12)
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多重激子效应是指纳米尺度的半导体材料吸收一个高能光子而产生多个激子(即电子－空穴对)的过程.多重激子效应具有巨大的基础研究价值和广泛的应用价值,其潜在应用涵盖了从非线性光学和激光到光化学的广泛领域,尤其是对于发展高效太阳电池、高灵敏度光电探测器、高质量的光放大器、高品质的激光器以及雪崩式光电二极管更是具有重大的推动作用.我们以多重激子产生的碰撞电离过程为其物理机制,结合Fermi在1950年建立的统计模型理论,建立了一个能够解释较大尺度范围内的纳米半导体颗粒中多重激子产生效应的统计模型.对PbSe量子点中多重激子效应的计算结果不仅证实了该模型的正确性,并且能够初步解决该领域现存的争议.此外,我们改进了计算太阳电池效率的细致平衡模型,详细的探讨了多重激子产生对于纳米结构的先进太阳电池效率的增强作用.
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