【摘 要】
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硒化镉(CdSe)是一种性能优异的长波红外用非线性光学晶体材料。如何获得大尺寸CdSe晶体材料是该材料制备的难点之一。本文采用有籽晶的物理气相传输(PVT)法进行CdSe单晶
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
【出 处】
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第17届全国晶体生长与材料学术会议
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硒化镉(CdSe)是一种性能优异的长波红外用非线性光学晶体材料。如何获得大尺寸CdSe晶体材料是该材料制备的难点之一。本文采用有籽晶的物理气相传输(PVT)法进行CdSe单晶生长,结合PVT法晶体生长动力学理论对CdSe晶体生长过程进行了分析,依此设定源区温度为1070℃,晶体生长区温度为1050℃,最终生长出Φ45mm的CdSe晶锭。这是目前国内报道的尺寸最大的CdSe单晶材料。
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