【摘 要】
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垂直腔面发射激光器以其体积小、可集成、与光纤耦合效率高等优点在高密度信息光通信、传感、光谱分析和生物医学等领域有着重要的应用[1,2].本文设计了垂直耦合腔VCSEL
【机 构】
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北京工业大学 电子信息与工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室,北京 100124
【出 处】
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第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会
论文部分内容阅读
垂直腔面发射激光器以其体积小、可集成、与光纤耦合效率高等优点在高密度信息光通信、传感、光谱分析和生物医学等领域有着重要的应用[1,2].本文设计了垂直耦合腔VCSEL结构,并对其光谱特性进行研究.图1为垂直耦合腔VCSEL整体结构示意图,利用EMCORED125型金属化学气象淀积(MOCVD)设备在n型GaAs衬底上外延生长得到.首先,生长26对Al0.9Ga0.1As-GaAs底DBR,然后在一个λ厚度的有源区内,生长3个80(A)的井层、4个100(A)的垒层和AlxGa1-xAs过渡层.随后在氧化限制层Al0.98Ga0.02As上生长p型层,它包括两对Al0.9Ga0.1As-GaAs层,同时生长P型掺杂的GaAs欧姆接触层和无源腔Al0.8Ga0.2As层,顶部n型DBR由20对Al0.9Ga0.1As-GaAs层组成,中心波长设计为980nm.
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