【摘 要】
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近年来，Ni-Mn-X（X=Ga, In, Sn, Sb 等）类合金材料因其较大的低场磁熵变性能，引起了广泛关注。随着微机电系统（MEMS）研究和应用的深化，微小空间内的局部制冷将在MEMS系统中得到重要应
【机 构】
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福建师范大学物理系,福州350007
【出 处】
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全国磁热效应材料和磁制冷技术学术研讨会
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近年来，Ni-Mn-X（X=Ga, In, Sn, Sb 等）类合金材料因其较大的低场磁熵变性能，引起了广泛关注。随着微机电系统（MEMS）研究和应用的深化，微小空间内的局部制冷将在MEMS系统中得到重要应用。为了适应微小化的空间布局，低场高磁熵变薄膜材料将得到广泛的应用。但目前的研究工作主要集中于块材，薄膜磁熵变材料的研究鲜见报道。本文选取Ni44Mn45Sn11这种低场高磁熵变材料为研究载体，通过对比块材和薄膜的磁性和磁熵变性能，来讨论薄膜形态下材料的磁熵变性能。
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