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由高介电强度兰宝石作为衬底取代P-N结隔离的硅-兰宝石（SoS）压力传感器研制成功。该SoS压力传感器具有较宽的工作温度范围（-40～＋200°C）。没有任何零位补偿和温度补偿就能达到相当高的性能，且能在恶劣环境下使用。（本刊录）
硅—兰宝石压力传感器
【摘 要】
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由高介电强度兰宝石作为衬底取代P-N结隔离的硅-兰宝石（SoS）压力传感器研制成功。该SoS压力传感器具有较宽的工作温度范围（-40～＋200°C）。没有任何零位补偿和温度补偿就能达到相当
【机 构】
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中国科学院上海冶金研究所
【出 处】
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1986年中日电子敏感技术科学讨论会
【发表日期】
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1986年期
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