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单壁碳纳米管(SWNT)的手性控制生长一直是人们关心的问题。传统的手性控制生长方法通常着眼于催化剂的设计，如使用单分散的纳米粒子作为催化剂[1]，或通过外延生长的方法使生长的碳纳米管结构和催化剂结构完全相同[2]。然而，对于铁等一些具有高催化活性和低熔点的催化剂纳米粒子，其高温下的融化和形变使得手性控制生长变得困难。理论计算表明，不同碳纳米管端冒结构的生成在能量上相差无几，而不同结构的碳纳米管和催化剂纳米粒子的接触能量却有较大差别。实验表明，通常条件下生长的碳纳米管手性不会发生变化，而温度的改变会导致单壁碳纳米管手性的改变[3]。基于上述结果和现象，我们提出通过反复多次温度扰动的方法，使碳纳米管手性分布向与催化剂接触能量更低的手性富集。本文将通过可变温的化学气相沉积(CVD)体系生长碳纳米管水平阵列。通过多次的温度扰动，单一手性的富集可以达到35％。同时，通过不同温度扰动次数的研究，提出了该过程的动力学模型。