【摘 要】
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结合电子束刻蚀技术和低温水热生长方法在不同基底和ZnO种子层上构筑图案化ZnO纳米棒阵列，并研究生长基底和ZnO种子层对ZnO纳米棒形貌的影响作用；在氧化铝基底上控制水热条
【机 构】
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河南大学特种功能材料重点实验室,河南 开封,475001
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结合电子束刻蚀技术和低温水热生长方法在不同基底和ZnO种子层上构筑图案化ZnO纳米棒阵列，并研究生长基底和ZnO种子层对ZnO纳米棒形貌的影响作用；在氧化铝基底上控制水热条件对ZnO纳米棒阵列的形貌、尺寸进行了有效调控，得到了不同直径、高度的ZnO纳米棒阵列，为后续基于一维ZnO纳米棒阵列的高性能器件的制备提供了很好的技术积累。我们采用了一种纳米压印辅助垂直转移的方法，在转移过程中对纳米棒施加比较均匀的压力和一定的温度，保证了ZnO纳米棒阵列的有效转移。利用这种垂直转移的方法对不同形貌、不同周期的ZnO纳米棒阵列转移到了ITO、玻璃、塑料、铜箔等基底。
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