短周期InAs/GaSb超晶格材料的生长

• 作 者: 汪韬 尹飞 王警卫 杨瑾 胡雅楠 张立臣 殷景致
• 机 构: 中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室,西安 710119
• 出 处: 第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
• 发表日期: 2010年期
• 关键词: 短周期 InAs 超晶格材料 有机物化学汽相淀积 表面形貌 原子力显微镜 光致发光谱 MOCVD 制备 性质 图表 生长 品格 金属 方法 衬底 长波 AFM

近些年,InAs/GaSb II型超晶格材料很多方面的性质已经得到研究,本文中,我们利用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)的方法在GaSb衬底上生长InAs/GaSb超品格,测得的光致发光谱和用原子力显微镜(AFM)得到的表面形貌图表明,我们制备的超晶格可以响应10μm的长波,且具有良好的表面形貌。